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AS6VA25616

更新时间： 2024-01-02 06:17:35
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable

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AS6VA25616 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.73
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000002 A
最小待机电流：1.2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS6VA25616 数据手册

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AS6VA25616  
®
Recommended operating condition (over the operating range)  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min  
2.4  
Max  
0.4  
Unit  
V
V
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
Input Load Current  
Output Load Current  
I
= –2.1mA  
= 2.1mA  
OL  
V
V
V
V
= 2.7V  
= 2.7V  
= 2.7V  
= 2.7V  
OH  
OH  
CC  
CC  
CC  
CC  
V
I
V
OL  
V
V
2.2  
–0.5  
–1  
V
+ 0.5  
CC  
V
IH  
IL  
0.8  
+1  
+1  
V
I
GND < V < V  
CC  
µA  
µA  
IX  
IN  
I
I
GND < V < V Outputs High Z  
CC;  
–1  
OZ  
CC  
O
CS = V , V = V  
IL IN  
IL  
V
Operating Supply  
Current  
CC  
or V , I  
= 0mA,  
V
V
= 3.3V  
= 3.3V  
2
5
mA  
mA  
mA  
µA  
IH OUT  
CC  
CC  
f = 0  
CS < 0.2V, V < 0.2V  
or V > V – 0.2V,  
IN  
I
@
Average V Operating  
CC  
CC1  
IN  
CC  
1 MHz Supply Current at 1 MHz  
f = 1 mS  
Average V Operating CS ≠ V , V = V or  
CC  
IL  
IN  
IL  
I
V
= 3.3V (55 ns)  
CC  
40  
100  
20  
2
CC2  
Supply Current  
V
, f = f  
IH  
Max  
CS > V or UB = LB  
IH  
CS Power Down Current;  
TTL Inputs  
I
> V , other inputs =  
V
= 3.3V  
= 3.3V  
= 1.2V  
SB  
IH  
CC  
CC  
CC  
V
or V , f = 0  
IL  
IH  
CS > V – 0.2V or  
CC  
CS Power Down Current; UB = LB > V – 0.2V,  
CC  
I
V
V
µA  
SB1  
CMOS Inputs  
other inputs = 0V –  
, f = f  
V
CC  
Max  
CS > V – 0.1V,  
UB = LB = V – 0.1V  
CC  
I
Data Retention  
µA  
SBDR  
CC  
f = 0  
Capacitance (f = 1 MHz, T = Room temperature, V = NOMINAL)2  
a
CC  
Parameter  
Symbol  
Signals  
Test conditions  
Max  
Unit  
pF  
Input capacitance  
C
A, CS, WE, OE, LB, UB  
I/O  
V
= 0V  
5
7
IN  
IN  
I/O capacitance  
C
V
= V = 0V  
OUT  
pF  
I/O  
IN  
10/6/00  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
3
1234567...9

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与AS6VA25616相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS6VA25616-55TC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
AS6VA25616-BC ALSC

获取价格

 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-BI ALSC

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 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-TC ALSC

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 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-TI ALSC

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 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA5128 ETC

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 		2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM
AS6VA5128-HFC ALSC

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 		Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
AS6VA5128-HFI ALSC

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 		Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

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