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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS4LC4M16S0-8TC | ALSC |
获取价格 |
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
|
| AS4LC4M16SO-10TC | ALSC |
获取价格 |
DRAM |
|
| AS4LC4M16SO-8TC | ALSC |
获取价格 |
DRAM |
|
| AS4LC4M4 | AUSTIN |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V |
|
| AS4LC4M4883C | AUSTIN |
获取价格 |
4 MEG x 4 DRAM 3.3V, EDO PAGE MODE |
|
| AS4LC4M4DG-6/IT | AUSTIN |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V |
|
| AS4LC4M4DG-6/XT | AUSTIN |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V |
|
| AS4LC4M4DG-7/IT | AUSTIN |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V |
|
| AS4LC4M4DG-7/XT | AUSTIN |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 3.3V |
|
| AS4LC4M4E0 | ETC |
获取价格 |
4M x 4 CMOS DRAM (EDO) Family |
|
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