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AS4LC4M16S0-75TC

更新时间: 2024-02-17 02:28:17
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ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 548K
描述
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

AS4LC4M16S0-75TC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.28Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4LC4M16S0-75TC 数据手册

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AS4LC4M16S0  
AS4LC16M4S0  
®
Burst read/ single write waveform  
(BL = 4, CL = 3)  
CLK  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
BA0/ BA1  
A10  
RA  
a
A0A9,A11  
DQM  
CA  
CA  
d
CA  
b
RA  
CA  
a
r
a
CKE  
DQ  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
d3  
a0  
a1  
a2  
a3  
a4  
a5  
d0  
d1  
d2  
Single  
Write  
Q
Q
Q
Q
Activate  
Q
Q
Q
Q
Read  
Read  
D
D
Interleaved bank read waveform  
(BL = 4, CL = 3)  
CLK  
t
t
t
CCD  
CCD  
CCD  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
t
t
RP  
RAS  
BA0/ BA1  
Bank  
Bank Bank  
Bank  
Bank  
Bank  
Bank  
Bank  
Bank  
t
t
RCD  
RCD  
A10  
A0A9, A11  
DQM  
RA  
a
RB  
a
CA  
b
CB  
b
RA  
a
CA RB  
CB  
a
CA  
c
a
a
CKE  
DQ  
QB QA QA  
a1 b0 b1  
QA QA QA QB QB QB QB  
b0 b1 b2 b3  
QA QA QA QA  
a0 a1 a2 a3  
QA  
b2  
QB  
a0  
c0  
c1  
c2  
Read  
Precharge  
Bank A  
Bank B  
Read  
Active  
Read  
Read  
Precharge  
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations.  
20  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
7/ 5/ 00  

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