5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最小击穿电压： | 600 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT20F50B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
|
| APT20F50S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
|
| APT20GF120BR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
|
| APT20GF120BRD | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
|
| APT20GF120BRDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
|
| APT20GF120BRDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
|
| APT20GF120BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 |
|
| APT20GF120KR | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
|
| APT20GF120KRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT20GF120SRDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
