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APT1101RBFLL

更新时间： 2024-02-02 21:32:55

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	107K
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POWER MOS 7 FREDFET

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APT1101RBFLL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1100 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT1101RBFLL 数据手册

Typical Performance Curves

APT1101RBFLL_SFLL

Gate Voltage

10 %

90%

= 125 C

Gate Voltage

= 125 C

d(off)

d(on)

Drain Voltage

Drain Current

90%

5 %

Drain Voltage

5 %

10 %

10%

Drain Current

Switching Energy

Figure19,Turn-offSwitchingWaveformsandDefinitions

Figure18,Turn-onSwitchingWaveformsandDefinitions

APT15DF100

V_CE

I_C

V_DD

D.U.T.

Figure 20, Inductive Switching Test Circuit

D³PAKPackageOutline

TO-247 Package Outline

4.98 (.196)

4.69 (.185)

15.95 (.628)

16.05 (.632)

13.41 (.528)

13.51 (.532)

5.31 (.209)

5.08 (.200)

15.49 (.610)

16.26 (.640)

1.04 (.041)

1.15 (.045)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

1.47 (.058)

1.57 (.062)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

6.15 (.242) BSC

Revised

8/29/97

11.51 (.453)

11.61 (.457)

13.79 (.543)

13.99 (.551)

Revised

4/18/95

20.80 (.819)

21.46 (.845)

3.50 (.138)

3.81 (.150)

0.46 (.018)

0.56 (.022)

{3 Plcs}

1.27 (.050)

1.40 (.055)

0.020 (.001)

0.178 (.007)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

3.81 (.150)

4.50 (.177) Max.

1.98 (.078)

2.08 (.082)

4.06 (.160)

2.67 (.105)

2.84 (.112)

(Base of Lead)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

1.22 (.048)

1.32 (.052)

0.40 (.016)

0.79 (.031)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

Heat Sink (Drain)

and Leads

are Plated

5.45 (.215) BSC

{2 Plcs.}

1.01 (.040)

1.40 (.055)

Gate

Drain

Source

Drain

Gate

Dimensions in Millimeters (Inches)

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

Dimensions in Millimeters and (Inches)

APT’sproductsarecoveredbyoneormoreofU.S.patents4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522

5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058andforeignpatents. USandForeignpatentspending. AllRightsReserved.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT1101RBFLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
APT1101RSFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT1101RSFLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
APT11026JFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT11044B2FLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT11044B2FLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT11044JFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT11044LFLL	ETC	获取价格	Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps\|FREDFETs ( fast body diode)
APT11044LFLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT11058B2FLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET

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