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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT1101RBFLL
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APT1101RBFLL

更新时间： 2024-01-24 05:05:45
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
POWER MOS 7 FREDFET

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APT1101RBFLL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1100 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT1101RBFLL 数据手册

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APT1101RBFLL_SFLL  
52  
10,000  
1,000  
100  
OPERATIONHERE  
LIMITEDBYR (ON)  
DS  
C
iss  
10  
5
100µS  
C
oss  
1mS  
1
10mS  
.5  
C
rss  
T
=+25°C  
C
T =+150°C  
J
SINGLEPULSE  
10  
.1  
10  
1
100  
1100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
V
,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
V
,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)  
DS  
DS  
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA  
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE  
16  
100  
I
= 6.5A  
D
V
=220V  
DS  
12  
T =+150°C  
J
T =+25°C  
J
V
=550V  
DS  
V
=880V  
DS  
8
10  
4
0
1
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140  
0.3  
V
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
Q ,TOTALGATECHARGE(nC)  
,SOURCE-TO-DRAINVOLTAGE(VOLTS)  
g
SD  
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE  
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE  
60  
40  
t
d(off)  
50  
40  
30  
t
f
30  
V
= 733V  
DD  
= 5Ω  
V
= 733V  
DD  
= 5Ω  
R
T
G
R
T
G
= 125°C  
J
20  
10  
0
= 125°C  
J
L = 100µH  
L = 100µH  
20  
10  
0
t
r
t
d(on)  
6
8
10  
12  
I
14  
(A)  
16  
18  
20  
6
8
10  
12  
I
14  
(A)  
16  
18  
20  
D
D
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT  
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT  
1200  
1000  
800  
1400  
1200  
1000  
800  
V
= 733V  
V
I
= 733V  
DD  
DD  
= 13A  
R
= 5Ω  
G
D
T
= 125°C  
T
= 125°C  
J
E
on  
J
E
L = 100µH  
on  
L = 100µH  
EON includes  
EON includes  
diode reverse recovery.  
diode reverse recovery.  
600  
600  
400  
400  
E
E
off  
off  
200  
0
200  
0
6
8
10  
12  
I
14  
(A)  
16  
18  
20  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
R ,GATERESISTANCE(Ohms)  
D
G
FIGURE16, SWITCHING ENERGYvs CURRENT  
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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