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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SML100B11 | SEME-LAB |
功能相似  |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1001RCN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
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| APT1001RDN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
|
| APT1001RSLC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mo |
|
| APT1001RSVFR | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS V FREDFET |
|
| APT1001RSVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT1001RSVR | MICROSEMI |
获取价格 |
100% Avalanche Tested |
|
| APT1001RSVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
100% Avalanche Tested |
|
| APT10021DFN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 40A I(D) |
|
| APT10021DN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT10021JFLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode powe |
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