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SML100B11 PDF预览

SML100B11

更新时间： 2024-01-15 09:51:00
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML100B11 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.08
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SML100B11 数据手册

 浏览型号SML100B11的Datasheet PDF文件第2页 
SML100B11  
TO–247AD Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
POWER MOSFETS  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
VDSS  
1000V  
11A  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
ID(cont)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
RDS(on) 1.000  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO–247 Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
G
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
1000  
11  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
44  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
280  
W
case  
P
D
2.24  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
11  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1210  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 20mH, R = 25 , Peak I = 11A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
12

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SML100B11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT1001RBVRG MICROSEMI

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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