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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.57 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-267AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 69.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SML1012A258R | SEME-LAB |
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FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE IN A HERMETIC TO-258 METAL PACKAGE |
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| SML10-12A-258R | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE IN A HERMETIC TO?258 METAL PACKAGE |
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| SML1016 | SANKEN |
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Bicolor LEDs |
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| SML1016_08 | SANKEN |
获取价格 |
5phi Round Standard Bicolor LEDs |
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| SML10B75 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| SML10B75XX | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| SML10J144 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| SML10J225 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| SML10L100 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| SML10S75 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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