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SML10T75XX PDF预览

SML10T75XX

更新时间： 2024-11-29 22:42:59
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML10T75XX 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SML10T75XX 数据手册

 浏览型号SML10T75XX的Datasheet PDF文件第2页 
SML10T75XX  
T247clip Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
5.38 (0.212)  
6.20 (0.244)  
POWER MOSFETS  
2
VDSS  
100V  
100A  
1
2
3
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
ID(cont)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
RDS(on) 0.011  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.45 (0.215)  
BSC  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
• 100% Avalanche Tested  
• New T247clip Package  
(Clip–mounted TO–247 Package)  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
100  
100  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
400  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
520  
W
case  
P
D
4.16  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
100  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
50  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
2500  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 500µH, R = 25 , Peak I = 100A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
12

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