Datasheet > SML10J144

SML10J144

更新时间： 2024-11-29 22:42:59

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SML10J144 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	144 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	576 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SML10J144 数据手册

SML10J144

SOT–227 Package Outline.

Dimensions in mm (inches)

1 1.8 (0 .4 6 3 )

1 2.2 (0 .4 8 0 )

31 .5 (1 .2 4 0)

31 .7 (1 .2 4 8)

N–CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

8 .9 (0 .35 0 )

9 .6 (0 .37 8 )

7 .8 (0 .3 07 )

8 .2 (0 .3 22 )

4 .1 (0 .16 1)

4 .3 (0 .16 9)

Hex Nut M 4

(4 places)

4 .8 (0 .18 7)

4 .9 (0 .19 3)

(4 places)

H =

POWER MOSFETS

4.0 (0 .1 57 )

4.2 (0 .1 65 )

0 .7 5 (0.03 0)

0 .8 5 (0.03 3)

V_DSS

100V

144A

3.3 (0.129)

3.6 (0.143)

5.1 (0.2 01 )

5.9 (0.2 32 )

4.0 (0.157)

(2 Places)

I_D(cont)

14.9 (0.587)

15.1 (0.594)

1 .9 5 (0 .07 7 )

2.1 4 (0 .0 84 )

3 0 .1 (1 .1 8 5 )

3 0 .3 (1 .1 9 3 )

Ω

R_DS(on)0.011

38.0 (1.496)

38.2 (1.504)

• Faster Switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

* Source terminals are shorted

internally. Current handling

capability is equal for

either Source terminal.

• Popular SOT–227 Package

StarMOS is a new generation of high voltage

N–Channel enhancement mode power MOSFETs.

This new technology minimises the JFET effect,

increases packing density and reduces the

on-resistance. StarMOS also achieves faster

switching speeds through optimised gate layout.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain – Source Voltage

100

144

DSS

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

576

Gate – Source Voltage

±30

Gate – Source Voltage Transient

±40

GSM

Total Power Dissipation @ T

Derate Linearly

= 25°C

450

case

3.6

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.

–55 to 150

300

T , T

STG

°C

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

144

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

2500

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Starting T = 25°C, L = 241µH, R = 25Ω, Peak I = 144A

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

5/99

中文翻译

下载PDF

与SML10J144相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SML10J225	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML10L100	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML10S75	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML10S75XX	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML10SIC03NC	SEME-LAB	获取价格	SiC SCHOTTKY DIODE
SML10SIC03NJC	SEME-LAB	获取价格	SiC SCHOTTKY DIODE
SML10SIC03YC	SEME-LAB	获取价格	SiC SCHOTTKY DIODE
SML10SIC06SMDC	SEME-LAB	获取价格	SILICON CARBIDE (SiC) SCHOTTKY DIODE
SML10SIC06Y	SEME-LAB	获取价格	SILICON CARBIDE (SiC) SCHOTTKY DIODE
SML10SIC06YC	SEME-LAB	获取价格	SILICON CARBIDE (SiC) SCHOTTKY DIODE

与SML10J144相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SML10J144

SML10J144 技术参数

SML10J144 数据手册

与SML10J144相关器件

与SML10J144相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SML10J144

SML10J144 技术参数

SML10J144 数据手册

与SML10J144相关器件

与SML10J144相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？