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SML100S13 PDF预览

SML100S13

更新时间： 2024-09-12 22:42:59
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压高电压电源
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2页 24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML100S13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.86 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SML100S13 数据手册

 浏览型号SML100S13的Datasheet PDF文件第2页 
SML100S13  
D3PAK Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
4.98 (0.196)  
5.08 (0.200)  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
13.41 (0.528)  
13.51 (0.532)  
15.95 (0.628)  
16.05 (0.632)  
1.47 (0.058)  
1.57 (0.062)  
1.04 (0.041)  
1.15 (0.045)  
11.51 (0.453)  
11.61 (0.457)  
POWER MOSFETS  
13.79 (0.543)  
13.99 (0.551)  
0.46 (0.018)  
0.56 (0.022)  
3 plcs.  
1
2
3
1.27 (0.050)  
1.40 (0.055)  
VDSS  
1000V  
13A  
1.22 (0.048)  
1.32 (0.052)  
3.81 (0.150)  
4.06 (0.160)  
2.67 (0.105)  
2.84 (0.112)  
1.98 (0.078)  
2.08 (0.082)  
ID(cont)  
5.45 (0.215) BSC  
2 plcs.  
RDS(on) 0.860  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
• 100% Avalanche Tested  
Heatsink is Drain.  
• Surface Mount D3PAK Package  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
1000  
13  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
52  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
370  
W
case  
P
D
2.96  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
13  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1300  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 15.38mH, R = 25 , Peak I = 13A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
5/99  
12

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