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SML100H9 PDF预览

SML100H9

更新时间： 2024-02-10 13:33:38
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML100H9 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-258AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.12
雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-258AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SML100H9 数据手册

 浏览型号SML100H9的Datasheet PDF文件第2页 
SML100H9  
TO–258 Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
6.86 (0.270)  
6.09 (0.240)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
17.65 (0.695)  
17.39 (0.685)  
1.14 (0.707)  
0.88 (0.035)  
POWER MOSFETS  
4.19 (0.165)  
3.94 (0.155)  
Dia.  
1
2 3  
VDSS  
1000V  
9A  
ID(cont)  
Ω
RDS(on) 1.100  
5.08 (0.200)  
BSC  
3.56 (0.140)  
BSC  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
1.65 (0.065)  
1.39 (0.055)  
Typ.  
• TO–258 Hermetic Package  
Pin 1 – Drain  
Pin 2 – Source  
Pin 3 – Gate  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
1000  
9
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
36  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
±40  
200  
1.6  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
W
case  
P
D
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
9
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1210  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 29.88mH, R = 25Ω, Peak I = 9A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
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