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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10026L2FLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10026L2FLL_03 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10026L2LL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10026L2LL | MICROSEMI |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel |
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| APT10026L2LL_03 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10026L2LLG | MICROSEMI |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel |
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| APT10026RKVR | ETC |
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Volts:1000V RDS(ON)26Ohms ID(cont):0.48Amps|MOSFETs |
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| APT1002R4AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-3 |
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| APT1002R4BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1002R4BN-BUTT | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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