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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1001RSLC | ADPOW |
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Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mo |
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| APT1001RSVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT1001RSVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT1001RSVR | MICROSEMI |
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100% Avalanche Tested |
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| APT1001RSVRG | MICROSEMI |
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100% Avalanche Tested |
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| APT10021DFN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 40A I(D) |
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| APT10021DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT10021JFLL | ADPOW |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode powe |
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| APT10021JFLL_04 | ADPOW |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode powe |
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| APT10021JLL | ADPOW |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode powe |
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