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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT10026L2LL
APT10026L2LL PDF预览

APT10026L2LL

更新时间： 2024-09-21 12:55:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

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APT10026L2LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-264MA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.14Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：3200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.26 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：893 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT10026L2LL 数据手册

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APT10026L2LL  
1000V 38A 0.260Ω  
R
POWER MOS 7 MOSFET  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
TO-264  
Max  
D
S
• Lower Input Capacitance  
• Increased Power Dissipation  
• Lower Miller Capacitance • Easier To Drive  
G
• Lower Gate Charge, Qg  
• Popular TO-264 MAX Package  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10026L2LL  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
38  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
152  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
W/°C  
893  
PD  
7.14  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
38  
1
EAR  
EAS  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
50  
4
3200  
STATICELECTRICALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Volts  
Ohms  
BVDSS  
RDS(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
1000  
2
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 19A)  
0.260  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 5mA)  
IDSS  
µA  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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与APT10026L2LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10026L2LL_03 ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10026L2LLG MICROSEMI

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 		Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
APT10026RKVR ETC

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 		Volts:1000V RDS(ON)26Ohms ID(cont):0.48Amps|MOSFETs
APT1002R4AN ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-3
APT1002R4BN ADPOW

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT1002R4BN-BUTT MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT1002R4BN-GULLWING ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT1002R4BNR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-247AD
APT1002R4BNR-BUTT ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT1002R4BNR-GULLWING ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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