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AP95T06GS PDF预览

AP95T06GS

更新时间： 2024-10-29 03:43:47
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 218K
描述
TRANSISTOR 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

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AP95T06GS 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP95T06GS 数据手册

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AP95T06GS/P  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
60V  
8.5mΩ  
75A  
▼ Lower On-resistance  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with  
the best combination of fast switching, ruggedized device design,  
low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-263(S)  
TO-220(P)  
The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP95T06GP)  
are available for low-profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
60  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V3  
±20  
75  
V
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
66  
A
260  
138  
1.11  
450  
30  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
W
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energy4  
W/℃  
mJ  
A
EAS  
IAR  
Avalanche Current  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
℃
℃
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
0.9  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Rthj-a  
62  
Data and specifications subject to change without notice  
1
200804283  
123456

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与AP95T06GS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP95T06GS-HF A-POWER

获取价格

 		Fast Switching Characteristic
AP95T06GS-HF_16 A-POWER

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 		Fast Switching Characteristic
AP95T07AGP-HF A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP95T07BGP-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP95T07GP A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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