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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4501AGEY-HF
AP4501AGEY-HF PDF预览

AP4501AGEY-HF

更新时间： 2024-11-18 12:26:35
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 驱动
页数 文件大小 规格书
7页 124K
描述
Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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AP4501AGEY-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-J8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.66配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-J8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：YES端子形式：J BEND
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP4501AGEY-HF 数据手册

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AP4501AGEY-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
N-CH BVDSS  
30V  
20mΩ  
6.5A  
D2  
D2  
D1  
D1  
▼ Low On-resistance  
RDS(ON)  
G2  
S2  
G1  
S1  
▼ Fast Switching Performance  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
ID  
P-CH BVDSS  
RDS(ON)  
-30V  
2928-8  
45mΩ  
-4.5A  
Description  
ID  
AP4501A series are from Advanced Power innovated design and  
silicon process technology to achieve the lowest possible on-  
resistance and fast switching performance. It provides the designer  
with an extreme efficient device for use in a wide range of power  
applications.  
D1  
D2  
S2  
G1  
G2  
The 2928-8 J-lead package provides good on-resistance  
performance and space saving like TSOP-6.  
S1  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
N-channel  
P-channel  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
30  
-30  
V
V
Gate-Source Voltage  
+20  
6.5  
5.2  
30  
+20  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
-4.5  
-3.6  
-20  
A
A
A
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
1.38  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
90  
Unit  
Rthj-a  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201208152  
1234567

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与AP4501AGEY-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4501AGM A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Fast Switching Performance
AP4501AGM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4501CGM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low Gate Charge
AP4501GD A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501GH-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance
AP4501GM A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501GSD A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501M A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
AP4501SD A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501SSD A-POWER

获取价格

 		N with Schottky AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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