AP4501GH-HF

更新时间： 2024-11-20 12:26:35

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富鼎先进 - A-POWER		驱动
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7页	120K
描述
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance

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AP4501GH-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.66	外壳连接：	DRAIN
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4501GH-HF 数据手册

AP4501GH-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

N-CH BV_DSS

30V

18mΩ

10.2A

-30V

D1/D2

▼ Good Thermal Performance

▼ Fast Switching Performance

▼ Halogen-Free Product

R_DS(ON)

I_D

P-CH BV_DSS

R_DS(ON)

50mΩ

-6.4A

TO-252-4L

Description

I_D

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

N-channel

P-channel

-30

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

10.2

8.2

-6.4

-5.1

-30

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

3.1

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201208152

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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