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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4501GSD | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4501M | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT |
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| AP4501SD | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4501SSD | A-POWER |
获取价格 |
N with Schottky AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4502AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge |
|
| AP4502GM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4502GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AP4503AGEM | A-POWER |
获取价格 |
SO-8 |
|
| AP4503AGEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4503AGM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
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