AP4501GSD

更新时间： 2024-11-20 08:31:59

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AP4501GSD 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.66
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4501GSD 数据手册

AP4501GSD

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

N-CH BV_DSS

30V

27mΩ

▼ Low On-resistance

R_DS(ON)

▼ Fast Switching Characteristic

I_D

P-CH BV_DSS

R_DS(ON)

-30V

49mΩ

-5A

PDIP-8

Description

I_D

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-

effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

N-channel

P-channel

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

±20

-30

±20

-5

Gate-Source Voltage

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

5.8

-4.2

-30

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200504042

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与AP4501GSD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP4501M	A-POWER	获取价格	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT
AP4501SD	A-POWER	获取价格	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501SSD	A-POWER	获取价格	N with Schottky AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4502AGM-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge
AP4502GM	A-POWER	获取价格	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4502GM-HF	A-POWER	获取价格	暂无描述
AP4503AGEM	A-POWER	获取价格	SO-8
AP4503AGEM-HF	A-POWER	获取价格	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4503AGM	A-POWER	获取价格	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4503AGM-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Fast Switching Performance