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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4502GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
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| AP4503AGEM | A-POWER |
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SO-8 |
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| AP4503AGEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4503AGM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4503AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Performance |
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| AP4503BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge |
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| AP4503BGO-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge |
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| AP4503GM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4503GM_10 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
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| AP4503GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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