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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4509AGM-HF
AP4509AGM-HF PDF预览

AP4509AGM-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
7页 125K
描述
Simple Drive Requirement, Low Gate Charge

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AP4509AGM-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：11.2 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP4509AGM-HF 数据手册

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AP4509AGM-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
N-CH BVDSS  
30V  
10mΩ  
11.2A  
-30V  
D2  
D2  
▼ Low Gate Charge  
D1  
RDS(ON)  
D1  
▼ Fast Switching Performance  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
ID  
P-CH BVDSS  
RDS(ON)  
G2  
S2  
G1  
S1  
SO-8  
21mΩ  
-8A  
Description  
ID  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
D1  
D2  
The SO-8 package is widely preferred for commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters.  
G2  
G1  
S1  
S2  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
N-channel  
P-channel  
-30  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
30  
+20  
11.2  
9.0  
40  
V
V
Gate-Source Voltage  
+20  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
-8.0  
A
-6.4  
A
-30  
A
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
2
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
62.5  
Unit  
Rthj-a  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
1
200912221  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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