AP3990S-HF

更新时间： 2024-01-01 02:56:11

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP3990S-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP3990S-HF 数据手册

AP3990S-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

600V

0.6Ω

10A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

AP3990 series are specially designed as main switching devices for

universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications.

TO-263(S)

The TO-263 package is widely preferred for commercial-industrial surface

mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC

converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

600

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+ 30

I_D@T_C=25℃

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=100℃

6.5

I_DM

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation⁴

Single Pulse Avalanche Energy²

174

P_D@T_A=25℃

3.13

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

0.72

Unit

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)⁴

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

201202081

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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