AP2304AGN

更新时间： 2024-11-18 08:31:47

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富鼎先进 - A-POWER		/
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2304AGN 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.117 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2304AGN 数据手册

AP2304AGN

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

117mΩ

2.5A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-23 package is universally used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Rating

Units

V_DS

V_GS

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Gate-Source Voltage

±20

2.5

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

0.01

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Thermal Data

Symbol

Rthj-a

Parameter

Value

Unit

℃/W

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

Data and specifications subject to change without notice

200318041

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