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AP2306CGTN-HF

更新时间： 2024-09-25 12:26:35

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		栅极栅极驱动
页数	文件大小	规格书
4页	102K
描述
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance

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AP2306CGTN-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2306CGTN-HF 数据手册

AP2306CGTN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 2.5V Gate Drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

30mΩ

5.5A

▼ Lower On-resistance

▼ Surface Mount Package

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

TSOT-23

Description

AP2306C series are from Advanced Power innovated design and silicon

process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast

switching performance. It provides the designer with an extreme efficient

device for use in a wide range of power applications.

The special design TSOT-23 package with ultra low profile ( < 1mm) is

widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications

using infrared reflow technique and suited for voltage conversion or switch

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+12

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

5.5

4.4

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.38

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201203161

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP2306GN	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2306GN	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2306GN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance
AP2306N	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2307GN	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2307GN	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2307GN-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Package Outline
AP2307N	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2308GEN	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2308GEN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower Gate Charge