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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP2306CGTN-HF
AP2306CGTN-HF PDF预览

AP2306CGTN-HF

更新时间： 2024-11-21 12:26:35
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 栅极栅极驱动
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance

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AP2306CGTN-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.63
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP2306CGTN-HF 数据手册

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AP2306CGTN-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Capable of 2.5V Gate Drive  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
20V  
30mΩ  
5.5A  
D
▼ Lower On-resistance  
▼ Surface Mount Package  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
S
TSOT-23  
G
D
S
Description  
AP2306C series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast  
switching performance. It provides the designer with an extreme efficient  
device for use in a wide range of power applications.  
G
The special design TSOT-23 package with ultra low profile ( < 1mm) is  
widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications  
using infrared reflow technique and suited for voltage conversion or switch  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
20  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+12  
V
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
5.5  
A
4.4  
A
20  
A
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
1.38  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
90  
Unit  
Rthj-a  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201203161  
1234

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与AP2306CGTN-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP2306GN TYSEMI

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 		Advanced Power MOSFETs
AP2306GN A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2306GN-HF A-POWER

获取价格

 		Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance
AP2306N TYSEMI

获取价格

 		Advanced Power MOSFETs
AP2307GN TYSEMI

获取价格

 		Advanced Power MOSFETs
AP2307GN A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2307GN-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Small Package Outline
AP2307N A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2308GEN A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2308GEN-HF A-POWER

获取价格

 		Capable of 2.5V Gate Drive, Lower Gate Charge

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