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AP2305BGN

更新时间： 2024-11-18 20:41:35

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	170K
描述
POWER, FET

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AP2305BGN 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏源导通电阻：	0.053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2305BGN 数据手册

AP2305BGN

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 2.5V Gate Drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

65mΩ

- 3.7A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

SOT-23S

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

combination of fast switching,low on-resistance and cost-effectiveness.

The SOT-23S package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings@T_j=25^oC(unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

- 20

Gate-Source Voltage

Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

+ 12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

-3.7

-3

-10

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.25

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

100

Unit

Rthj-amb

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201411172AP

12 3 4 5 6 7

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