Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP2305CGN-HF

AP2305CGN-HF

更新时间： 2024-01-07 03:13:35

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Simple Drive Requirement, Small Package Outline

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AP2305CGN-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.8
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP2305CGN-HF 数据手册

AP2305CGN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

85mΩ

- 3.2A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching,low on-resistance and cost-

effectiveness.

The SOT-23 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+12

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V³

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

-3.2

-2.6

-12

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.38

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201101101

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与AP2305CGN-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP2305GN	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2305GN	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2305GN-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Package Outline
AP2305N	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2305N	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP2306AGEN	A-POWER	获取价格	TRANSISTOR 4.1 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3,
AP2306AGEN-HF	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2306AGEN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package
AP2306AGN	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2306AGN	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET