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AP2306AGN-HF

更新时间： 2024-09-25 12:54:11

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	112K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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AP2306AGN-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2306AGN-HF 数据手册

AP2306AGN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 2.5V gate drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

35mΩ

▼ Lower on-resistance

▼ Surface mount package

▼ RoHS Compliant

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-23 package is widely used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.38

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200810141

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP2306GN	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFETs
AP2306GN	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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