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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 16 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2307N | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP2308GEN | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP2308GEN-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower Gate Charge |
|
| AP2309AGN-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Package Outline |
|
| AP2309GEN-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Package Outline |
|
| AP2309GN | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP2309GN-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Package Outline |
|
| AP2309N | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP230S12 | RFHIC |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 2 Func, GAAS |
|
| AP230SO8 | RFHIC |
获取价格 |
MMIC |
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