AP2307GN

更新时间： 2024-11-18 08:31:47

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	71K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2307GN 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	16 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2307GN 数据手册

AP2307GN

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-16V

60mΩ

- 4A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

SOT-23

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

, low on-resistance and cost-effectiveness.

The SOT-23 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-16

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±8

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-4

-3.3

-12

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200414041

12 3 4

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