Datasheet > AP2303N

AP2303N

更新时间： 2024-02-24 02:57:15

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		/
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AP2303N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	Base Number Matches：	1

AP2303N 数据手册

AP2303N

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

240mΩ

- 1.9A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

SOT-23

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

-1.9

-1.5

-10

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200407042

12 3 4

下载PDF

与AP2303N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AP2304AGN	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP2304AGN	TYSEMI	Advanced Power MOSFETs	获取价格
AP2304AGN-HF	A-POWER	Simple Drive Requirement, Small Package Outline	获取价格
AP2304AN	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP2304GN	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP2304GN	TYSEMI	Advanced Power MOSFETs	获取价格