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2SJ210

更新时间: 2024-09-16 22:21:47
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日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 368K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING

2SJ210 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:MINIMOLD, SC-59, 3 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.2 A
最大漏源导通电阻:15 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ210 数据手册

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