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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ210-A | RENESAS |
功能相似  |
200mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SJ210 | NEC |
功能相似 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ210-A | RENESAS |
获取价格 |
200mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
|
| 2SJ210-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ210C | RENESAS |
获取价格 |
P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SJ210C-T1B-A | RENESAS |
获取价格 |
P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SJ210C-T1B-AT | RENESAS |
获取价格 |
P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SJ210-L | RENESAS |
获取价格 |
2SJ210-L |
|
| 2SJ210-L-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ210-T1B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ211 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ211 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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