Datasheet > 2SJ213

2SJ213

更新时间： 2024-01-25 22:13:10

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	44K
描述
MOS Fied Effect Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ213 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	POMM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.48
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SJ213 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Fied Effect Transistor

2SJ213

SOT-89

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

4.50

1.80

+0.1

-0.1

Features

Directly driven by Ics having a 5V poer supply.

Has low on-state resistance

0.53

RDS(on)=5.0 MAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.3A

RDS(on)=4.2 MAX.@VGS=-1.0V,ID=-0.3A

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

1 Gate

1. Source

1. Base

+0.1

-0.1

3.00

2 Drain

2. Drain

2. Collector

3 Source

3. Emiitter

3. Gate

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage VGS=0

Gate to source voltage VDS=0

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-100

Unit

m A

500

Drain current(pulse) *

1.0

Power dissipation

2.0

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* PW

10 ms; d

50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

Testconditons

VDS=-100V,VGS=0

Min

Typ

Max

-10

Unit

IDSS

IGSS

Gate leakage current

Gate cut-off voltage

VGS= 20V,VDS=0

VGS(off) VDS=-10V,ID=-1mA

-1.0

0.4

-2.1

0.5

2.5

1.8

165

-3.0

Forward transfer admittance

VDS=-5.0V,ID=-300mA

VGS=-4.0V,ID=-300mA

VGS=-10V,ID=-300mA

Yfs

5.0

4.2

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

Crss

td(on)

VDS=-10V,VGS=0,f=1MHZ

110

320

100

130

VGS(on)=-4V,RG=10 ,VDD=-5V,ID=--

0.3A RL=1.5

Turn-off delay time

Fall time

td(off)

Marking

www.kexin.com.cn

下载PDF

与2SJ213相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ213-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
2SJ213-T1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-89	获取价格
2SJ213-T1	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ213-T1-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-89	获取价格
2SJ213-T2	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-89	获取价格
2SJ213-T2-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-89	获取价格