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2SJ218-E

更新时间： 2024-02-14 01:41:18
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 29K
描述
0.06ohm, POWER, FET, TO-3PFM, 3 PIN

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2SJ218-E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PFM
包装说明：TO-3PFM, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
最大漏源导通电阻：0.06 ΩJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

2SJ218-E 数据手册

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2SJ218  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
·
·
·
Low on-resistance  
High speed switching  
4 V gate drive device  
¾ Can be driven from 5 V source  
·
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
12345

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