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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ212-T1 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ212-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,500MA I(D),SC-62 |
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| 2SJ212-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ212-T2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,500MA I(D),SC-62 |
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| 2SJ212-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,500MA I(D),SC-62 |
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| 2SJ213 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 2SJ213 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ213-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ213-T1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-89 |
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| 2SJ213-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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