5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 71V67602S133BGI
71V67602S133BGI PDF预览

71V67602S133BGI

更新时间： 2024-09-19 14:40:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 517K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

71V67602S133BGI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.26Is Samacsys：N
最长访问时间：4.2 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.36 mm
最大待机电流：0.07 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

71V67602S133BGI 数据手册

 浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号71V67602S133BGI的Datasheet PDF文件第7页 
256K X 36, 512K X 18  
3.3VSynchronousSRAMs  
2.5V I/O, Burst Counter  
IDT71V67602  
IDT71V67802  
PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect  
Features  
Description  
◆
256K x 36, 512K x 18 memory configurations  
Supports high system speed:  
The IDT71V67602/7802 are high-speed SRAMs organized as  
256K x 36/512K x 18. The IDT71V676/78 SRAMs contain write, data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
– 166MHz 3.5ns clock access time  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
◆
◆
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O supply (VDDQ)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch  
ball grid array.  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V67602/7802canprovidefourcyclesof  
dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
andthe LBO inputpin.  
◆
◆
◆
◆
TheIDT71V67602/7802SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
A0-A18  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS0, CS1  
OE  
Chip Selects  
Output Enable  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
(1 )  
BW1, BW2, BW3, BW4  
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
VDD, VDDQ  
VSS  
Supply  
Supply  
N/A  
5311 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.  
FEBRUARY 2009  
1
©2002IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5311/07  
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与71V67602S133BGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71V67602S133BQG IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, GREEN, FBGA-165
71V67602S133BQG8 IDT

获取价格

 		SRAM
71V67602S133PFGI IDT

获取价格

 		TQFP-100, Tray
71V67602S133PFGI8 IDT

获取价格

 		TQFP-100, Reel
71V67602S133PFI8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
71V67602S150BG IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
71V67602S150BG8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
71V67602S150BQG IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
71V67602S150BQI IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
71V67602S150BQI8 IDT

获取价格

 		SRAM

与71V67602S133BGI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证