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71V67602S133PFGI

更新时间： 2024-11-09 05:57:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	517K
描述
TQFP-100, Tray

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71V67602S133PFGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TQFP
包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.33
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.07 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

71V67602S133PFGI 数据手册

256K X 36, 512K X 18

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

IDT71V67602

IDT71V67802

PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

Supports high system speed:

The IDT71V67602/7802 are high-speed SRAMs organized as

256K x 36/512K x 18. The IDT71V676/78 SRAMs contain write, data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O supply (VDDQ)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V67602/7802canprovidefourcyclesof

dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

TheIDT71V67602/7802SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁸

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS⁰, CS1

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1 )

BW¹, BW², BW³, BW4

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

V^DD, V^DDQ

V^SS

Supply

N/A

5311 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.

FEBRUARY 2009

DECEMBER 2003

DSC-5311/07

12 3 4 5 6 7...23

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71V67602S133PFGI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71V67602S133PFI	IDT	类似代替	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin

与71V67602S133PFGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71V67602S133PFGI8	IDT	获取价格	TQFP-100, Reel
71V67602S133PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
71V67602S150BG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
71V67602S150BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
71V67602S150BQG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
71V67602S150BQI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
71V67602S150BQI8	IDT	获取价格	SRAM
71V67602S150PFG	IDT	获取价格	TQFP-100, Tray
71V67602S150PFG8	IDT	获取价格	TQFP-100, Reel
71V67602S150PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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