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70V26S35GG

更新时间： 2024-09-19 18:39:51

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	143K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84

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70V26S35GG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	PGA
包装说明：	BGA, PGA84M,11X11	针数：	84
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.17
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CBGA-B84
JESD-609代码：	e3	长度：	30.6705 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	84
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	BGA	封装等效代码：	PGA84M,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.207 mm	最大待机电流：	0.006 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	30.6705 mm	Base Number Matches：	1

70V26S35GG 数据手册

IDT70V26S/L

HIGH-SPEED 3.3V

16K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

Features

IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 84-pin PGA and PLCC

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Commercial:25/35/55ns (max.)

– Industrial:25ns (max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V26S

◆

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V26L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660µW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

◆

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

R/W

UBL

CEL

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

(1,2)

BUSY

13L

13R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

CER

SEMR

SEM

M/S

2945 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.

JANUARY 2009

DSC 2945/16

12 3 4 5 6 7...17

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与70V26S35GG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
70V26S35GG8	IDT	获取价格	SRAM
70V26S35GGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26S35GGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26S35J	IDT	获取价格	PLCC-84, Tube
70V26S35JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC
70V26S35JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
70V26S35JGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26S35JGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26S55GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26S55GG8	IDT	获取价格	SRAM

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