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70V26S55JG8

更新时间： 2024-11-08 14:46:55

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	157K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

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70V26S55JG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	84
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.55
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码：	S-PQCC-J84	JESD-609代码：	e3
长度：	29.3116 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	84
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	29.3116 mm
Base Number Matches：	1

70V26S55JG8 数据手册

IDT70V26S/L

HIGH-SPEED 3.3V

16K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

Features

IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 84-pin PGA and PLCC

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Commercial:25/35/55ns (max.)

– Industrial:25ns (max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V26S

◆

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V26L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660µW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

◆

bus compatibility

Functional Block Diagram

R/W

UBL

CEL

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

(1,2)

BUSY

13L

13R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

CER

SEMR

SEM

M/S

2945 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.

JULY 2003

DSC 2945/14

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
70V26S55JGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26S55JGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
70V26WL25GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26WL25GGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26WL35GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26WL35JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC
70V26WL55GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26WL55JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC
70V26WS25GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC
70V26WS25GGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC

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