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5SMX12H1273

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
品牌 Logo 应用领域
ABB 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
IGBT-Die

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5SMX12H1273 数据手册

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5SMX 12H1273  
Unit  
Mechanical properties  
Parameter  
x
x
L W  
9.1 9.0  
Overall die  
mm  
mm  
mm  
exposed  
front metal  
x
x
L W (except gate pad)  
7.6 7.5  
Dimensions  
x
x
L W  
1.2 1.2  
gate pad  
thickness  
front (E)  
back (C)  
130 ± 20  
µm  
µm  
µm  
AlSi1  
4
3)  
Metallization  
Al / Ti / Ni / Ag  
1.8  
3)  
For assembly instructions refer to : IGBT and Diode chips from ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Doc. No. 5SYA 2033.  
Outline drawing  
G
Emitter  
Note: all dimensions are shown in mm  
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, Chap. IX.  
This product has been designed and qualified for Industrial Level.  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA 1641-00 Apr 07  
page 3 of 5  
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