2STR2160

更新时间： 2024-10-14 02:57:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
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描述
Low voltage fast-switching PNP power transistor

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2STR2160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	1.71	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	45
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2STR2160 数据手册

2STR2160

Low voltage fast-switching PNP power transistor

Preliminary Data

Features

■ Very low collector-emitter saturation voltage

■ High current gain characteristic

■ Fast switching speed

■ Miniature SOT-23 plastic package for surface

mounting circuits

Applications

SOT-23

■ LED

■ Battery charger

■ Motor and relay driver

■ Voltage regulation

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

The device in a PNP transistor manufactured

using new “PB-HCD” (power bipolar high current

density) technology. The resulting transistor

shows exceptional high gain performances

coupled with very low saturation voltage.

The complementary NPN is the 2STR1160.

Table 1.

Order code

2STR2160

Device summary

Marking

Package

SOT-23

Packing

260

Tape and reel

June 2008

Rev 1

1/9

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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