2STW1693

更新时间： 2024-11-20 02:57:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor

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2STW1693 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2STW1693 数据手册

2STW1693

High power PNP epitaxial planar bipolar transistor

Features

■ High breakdown voltage V

= -80V

CEO

■ Complementary to 2STW4466

■ Typical f = 20MHz

■ Fully characterized at 125 C

Applications

■ Audio power amplifier

TO-247

Description

The device is a PNP transistor manufactured in

low voltage planar technology using base island

layout. The resulting transistor shows good gain

Figure 1. Internal schematic diagram

linearity coupled with low V

behaviour.

CESAT

Recommended for 40W to 70W high fidelity audio

frequency amplifier output stage.

Table 1.

Order code

2STW1693

Device summary

Marking

Package

Packaging

2STW1693

TO-247

Tube

October 2007

Rev 1

1/10

www.st.com

12 3 4 5 6 7...10

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