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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2STR2230
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2STR2230

更新时间： 2024-11-20 02:57:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
Low voltage fast-switching PNP power transistor

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2STR2230 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.73最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2STR2230 数据手册

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2STR2230  
Low voltage fast-switching PNP power transistor  
General features  
■ Very low collector-emitter saturation voltage  
■ High current gain characteristic  
■ Fast switching speed  
■ Miniature SOT-23 plastic package for surface  
mounting circuits  
■ In compliance with the 2002/93/EC European  
Directive  
SOT-23  
Description  
The 2STR2230 is a PNP transistor manufactured  
using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current  
Density) technology. The resulting transistor  
shows exceptional high gain performances  
coupled with very low saturation voltage.  
Internal schematic diagram  
The complementary NPN is the 2STR1230.  
Applications  
■ LED  
■ Motherboard & hard disk drive  
■ Mobile equipment  
■ Battery charger  
■ Voltage regulation  
Order codes  
Part Number  
Marking  
Package  
SOT-23  
Packing  
2STR2230  
230  
Tape & reel  
November 2006  
Rev 3  
1/9  
www.st.com  
9
1234567...9

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2STR2230 替代型号

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