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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA92LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
High Voltage Transistors PNP Silicon |
|
| MMBT3906LT3G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT3906LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2STR2215_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage fast-switching PNP power transistor |
|
| 2STR2230 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage fast-switching PNP power transistor |
|
| 2STW100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Complementary power Darlington transistors |
|
| 2STW1693 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STW1693_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STW1695 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STW1695_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STW200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Complementary power Darlington transistors |
|
| 2STW4466 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STW4466_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
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