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2SK3590-01

更新时间: 2024-01-31 16:22:50
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

2SK3590-01 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.75
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):387 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.041 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):135 W最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK3590-01 数据手册

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2SK3590-01  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Drain-Source On-state Resistance  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
max.  
min.  
max.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=40A, Tch=25°C  
101  
100  
10-1  
10-2  
14  
12  
10  
8
Ciss  
Vcc= 75V  
Coss  
6
4
Crss  
2
0
10-1  
100  
101  
102  
0
20  
40  
60  
80  
Qg [nC]  
VDS [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10  
103  
102  
101  
100  
100  
10  
1
tf  
td(off)  
td(on)  
tr  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00  
VSD [V]  
ID [A]  
3

2SK3590-01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK3590-01 FUJI

当前型号

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK2943 ALLEGRO

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