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2SK359E

更新时间: 2024-02-14 08:12:57
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其他 - ETC 晶体晶体管
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7页 31K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92

2SK359E 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.21配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):0.03 A
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK359E 数据手册

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2SK359  
Silicon N-Channel MOS FET  
ADE-208-1169 (Z)  
1st. Edition  
Mar. 2001  
Application  
VHF amplifier  
Outline  
TO-92 (2)  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
3
2
1

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