5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3607-01MR
2SK3607-01MR PDF预览

2SK3607-01MR

更新时间： 2024-02-07 21:05:05
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3607-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：175 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3607-01MR 数据手册

 浏览型号2SK3607-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3607-01MR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3607-01MR的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3607-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings (mm)  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
200  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDS  
V
VDSX *5  
ID  
170  
±18  
±72  
±30  
18  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Equivalent circuit schematic  
A
ID(puls]  
VGS  
V
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
Drain(D)  
mJ  
kV/µs  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
125.5  
20  
kV/µs  
W
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
37  
+150  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
2
°C  
VISO *6  
kVrms  
<
*1 L=620µH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C *4 VDS 200V *5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
200  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=200V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
170  
VDS=160V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
131  
11  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=6.5A VGS=10V  
mΩ  
S
5.5  
ID=6.5A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
770  
110  
5
1155  
165  
pF  
VGS=0V  
Output capacitance  
7.5  
18  
3.9  
33  
9.2  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=6.5A  
12  
2.6  
22  
6.1  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
21  
8
31.5  
12  
QG  
VCC=100V  
ID=13A  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5
7.5  
VGS=10V  
µ
18  
L=620 H Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
1.65  
VSD  
IF=13A VGS=0V Tch=25°C  
IF=13A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
0.15  
0.88  
trr  
Qrr  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
3.378  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SK3607-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3608 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-01L FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-01L_03 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-01S FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-01SJ FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-S FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-SJ FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3609-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK360D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-346
2SK360-D HITACHI

获取价格

 		暂无描述

与2SK3607-01MR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证