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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK359TZ | HITACHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK359TZ | RENESAS | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-92 |
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| 2SK360 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK360 | RENESAS | Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK3600-01L | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3600-01S | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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